半导体世界消息，据业内人士透漏，三星电子将首先对其内存业务集团DRAM开发办公室的人员进行变动。曾在内存战略营销办公室工作的副总裁Hwang Sang-jun已被选为DRAM开发办公室的新负责人。

由于对人工智能和高性能计算（HPC）的需求不断增加，预计高带宽内存（HBM）市场将从今年开始快速增长，因此在HBM产品开发中起着关键作用的DRAM开发办公室变得越来越重要。三星电子正准备量产第四代HBM3。

这家韩国科技巨头在制造协同团队下成立了A-FAB TF，在制造集团下成立了材料技术团队。存储器制造技术中心（MTC）从华城搬迁到平泽，将与铸造厂MTC整合。

Memory MTC的Memory E/F团队已更名为后端生产线（BEOL）FAB团队。负责全球制造和基础设施的研究线运营团队已转移到制造业。

能源解决方案TU由三星高级技术学院（SAIT）创建，该学院是三星电子DS部门总裁兼首席执行官Kyung Kye-hyun领导的三星大脑中心，用于扩展AI的应用。

铸造首席技术官（CTO）由铸造技术开发办公室副总裁Yoon Jong-shik取代。空缺的首席技术官职位由铸造技术开发副总裁Koo Ja-heum填补。

在 2022 年之后的不规则人事季节中，这种组织变革被认为是非常不寻常的。此次重组反映了三星电子积极应对未来市场变化的强烈愿望，因为半导体需求预计将在今年下半年恢复。