电子芯片网消息，2023年9月1日，三星电子宣布该公司已采用12纳米（nm）级工艺技术，开发出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM，在相同封装尺寸下，容量是16Gb内存模组的两倍，并计划于今年年底开始量产。

三星电子存储器事业部内存开发组执行副总裁SangJoon Hwang表示：在三星最新推出的12纳米级32Gb内存的基础上，三星可以研发出实现1TB内存模组的解决方案，这有助于满足人工智能和大数据时代对于大容量DRAM内存日益增长的需求。

据介绍，通过使用最新开发的32Gb内存颗粒，即使不使用硅通孔（TSV）工艺也能够生产128GB内存模组，该产品与使用16Gb内存封装的128GB内存模组相比，功耗降低了约10%。这一技术突破使该产品成为数据中心等关注能效的企业的优选解决方案。以12纳米级32Gb DDR5 DRAM为基础，三星计划继续扩充大容量DRAM产品阵容，以满足高性能计算和IT行业持续增长的需求。