11月2日，日厂MinebeaMitsumi宣布，将收购日立制作所（Hitachi）旗下功率半导体事业公司日立功率半导体（Hitachi Power Semiconductor Device，HPSD），强化功率半导体事业。

HPSD是日立100%出资子公司，而MinebeaMitsumi目标收购HPSD所有股权，不过MinebeaMitsumi未透露具体的收购时间表和收购额规模。截至公布日前，MinebeaMitsumi已与日立公司签订股份购买协议。

另据日媒指出，MinebeaMitsumi目标在2023年度内（2024年3月底前）取得HPSD所有股权，收购额预估为400亿日元左右。MinebeaMitsumi包含功率半导体在内的模拟芯片业务被定位为该公司的核心业务之一，目标在2030年度将模拟芯片业务营收规模自现行的800亿日元提高至3000亿日元。

功率半导体的需求不仅与电动汽车有关，在GX（绿色转型）、风能和太阳能等可再生能源，电力和电网、铁路等大型运输设备，在重离子放射治疗和MRI、以及工业和机械设备等医疗和保健应用，包括数据中心等各个领域都在增长。

除了大众市场外，MinebeaMitsumi表示，希望通过利用其在利基市场的独特优势，实现显着的协同效应，并通过模拟半导体业务实现超过3000亿日元的增长。

从日本来看，MinebeaMitsumi的同业竞争对手还有瑞萨电子（Renesas Electronics）、东芝半导体旗下子公司“东芝电子元件及储存设备（Toshiba Electronic Devices & Storage）”等企业。

据日经新闻7月报道，MinebeaMitsumi会长贝沼由久在札幌市接受专访时称，计划倍增位于北海道千岁市的模拟芯片工厂“千岁事业所”产能，投资额规模上看1000亿日元。以6英寸晶圆换算、目前MinebeaMitsumi北海道模拟芯片月产能约4万片。并表示，千岁事业所除了将增产IGBT产品外、今后也将生产采用碳化硅（SiC）的功率半导体产品，投资额将逼近1000亿日元的规模。

瑞萨电子社长兼CEO柴田英利曾表示，将自今年起开始投资SiC功率半导体、目标在2025年开始进行量产，将利用旗下目前已生产硅制功率半导体的高崎工厂的6英寸晶圆产线进行生产，主因随着电动车(EV)普及、带动节能性能优异的SiC功率半导体今后需求有望显著增长。除了SiC外，瑞萨也将对现行EV采用的硅制IGBT等功率半导体进行积极投资，于2014年关闭的甲府工厂预计将在2024年上半年重新启用、将生产硅制功率半导体。

另据TrendForce集邦咨询分析2023年整体SiC功率元件市场规模达22.8亿美元，年成长41.4%，并预估至2026年SiC功率元件市场规模可望达53.3亿美元。