电子芯片网消息，8月30日，德国博世集团表示，其已经收购了加州芯片制造商 TSI Semiconductors，此举旨在美国建立碳化硅芯片制造基地，使电动汽车 (EV) 的行驶时间更长。

针对收购价格博世并未对外透露，在此前的4月份，博世表示其收购TSI之后，还将投资15亿美元对加州的罗斯维尔工厂进行改造，生产碳化硅芯片。收购完成之后，该厂将与德国的另外两大晶圆厂一同成为博世的三大半导体制造支柱，并自2026年开始生产SiC晶圆。

博世表示，加州政府已经批准为这家公司提供2500万美元的税收减免，而最终是否将工厂扩建到预定规模，主要取决于美国政府以及地方政府的财政补贴。

TSI Semiconductors 成立于1996 年，总部位于加利福尼亚州圣何塞，专门从事模拟、混合信号和射频 (RF) 集成电路设计和制造，目前主要以8英寸制造为主。

博世管理委员会主席 Stefan Hartung 博士表示：“通过收购 TSI Semiconductors，我们正在一个重要的销售市场建立SiC芯片的制造能力，同时也在全球范围内增加我们的半导体制造。罗斯维尔现有的洁净室设施和专家人员将使我们能够更大规模地制造用于电动汽车的SiC芯片。”

除了此次收购TSI之外，在本月中旬，博世宣布投资6500万欧元在马来西亚开设一个新的芯片和传感器测试中心，并计划在未来10年继续投资2.85亿欧元，以支持该中心的持续发展和增长。今年1月，博世又计划在江苏苏州建设一家工厂（博世新能源汽车核心部件及自动驾驶研发制造基地），生产内容包含SiC功率模块等，主要目的是为当地汽车制造商提供研发、测试和制造汽车零件以及自动驾驶技术。该基地已于3月奠基。

随着全球新能源汽车产业需求的爆发。博世已经计划再投资30亿欧元用于半导体布局，投资重点放在SoC（系统芯片）和功率半导体的开发上，投资计划将在2026年之前实施。这笔投资的一部分将用于建设两个新的芯片研发中心，其中一个位于德国罗伊特林根，另一个位于德累斯顿。博世还计划扩建工厂，增加洁净室面积，特别是在德累斯顿。