电子芯片网消息，人工智能浪潮之下，HBM从幕后走向台前，市场需求持续看涨。全球市场研究机构TrendForce集邦咨询预测，2023年HBM需求量将年增58%，2024年有望再成长约30%。

与传统DRAM相比，HBM具备高带宽、高容量、低延时与低功耗等优势，可以加快AI数据处理速度，更适用于ChatGPT等高性能计算场景，因而备受青睐，存储大厂也在积极推动HBM技术迭代。

存储大厂持续发力，三星将推出HBM4

自2014年首款硅通孔HBM产品问世至今，HBM技术已经更新迭代出多款产品，分别有HBM、HBM2、HBM2E、HBM3、HBM3e等。

原厂规划方面，此前集邦咨询调查显示，两大韩厂SK海力士（SK hynix）、三星（Samsung）先从HBM3开发，代表产品为NVIDIA H100/H800以及AMD的MI300系列，两大韩厂预计于2024年第一季送样HBM3e；美系原厂美光（Micron）则选择跳过HBM3，直接开发HBM3e。

HBM3e将由24Gb mono die堆栈，在8层（8Hi）的基础下，单颗HBM3e容量将一口气提升至24GB，此将导入在2025年NVIDIA推出的GB100上，故三大原厂预计要在2024年第一季推出HBM3e样品，以期在明年下半年进入量产。

除了HBM3、HBM3e之外，最新消息显示，存储大厂还在规划推出下一代HBM——HBM4。

近日，三星电子副社长、DRAM产品与技术团队负责人黄尚俊对外表示，三星电子已开发出9.8Gbps的HBM3E，计划开始向客户提供样品。同时，三星正在开发HBM4，目标2025年供货。据悉，三星电子正开发针对高温热特性优化的非导电粘合膜（NCF）组装技与混合键合（HCB）等技术，以应用于HBM4产品。

9月韩媒报道表示，为了掌握快速成长的HBM市场，三星将大幅革新新一代产品制程技术，并推出HBM4产品。据悉，HBM4内存堆栈将采用2048位内存接口 。此前所有HBM堆栈都采用1024位接口。接口宽度从每堆栈1024位增加到每堆栈2048位，足以可见HBM4具备的变革意义。

HBM4为时尚早，明年市场主流还得看HBM3与HBM3e

尽管HBM4将有大突破，但它毕竟不会很快到来，谈应用以及普及为时尚早。业界指出，当前HBM市场以HBM2e为主，未来HBM3与HBM3e将挑起大梁。

集邦咨询调查显示，当前HBM市场主流为HBM2e，包含NVIDIA A100/A800、AMD MI200以及多数CSPs自研加速芯片皆以此规格设计。同时，为顺应AI加速器芯片需求演进，各原厂计划于2024年推出新产品HBM3e，预期HBM3与HBM3e将成为明年市场主流。

以HBM不同世代需求比重而言，据TrendForce集邦咨询表示，2023年主流需求自HBM2e转往HBM3，需求比重分别预估约是50%及39%。随着使用HBM3的加速芯片陆续放量，2024年市场需求将大幅转往HBM3，而2024年将直接超越HBM2e，比重预估达60%，且受惠于其更高的平均销售单价（ASP），将带动明年HBM营收显著成长。封面图片来源：拍信网