电子芯片网消息，近期，美光首席执行官Sanjay Mehrotra透露，美光计划于2024年初开始大量出货HBM3E。据悉，美光HBM3E目前正在进行英伟达认证，首批HBM3E采用8-Hi设计，提供24GB容量和超过1.2TB/s频宽。公司计划于2024年推出超大容量36GB 12-Hi HBM3E堆叠。此前美光曾透露，预计2024年新的HBM将带来「数亿」美元的收入。

无独有偶，另一家存储大厂三星近期也公布了HBM新进展。据三星电子副社长、DRAM产品与技术团队负责人黄尚俊透露，三星电子已开发出9.8Gbps的HBM3E，计划开始向客户提供样品。同时，三星正在开发HBM4，目标2025年供货。据悉，三星电子正开发针对高温热特性优化的非导电粘合膜（NCF）组装技与混合键合（HCB）等技术，以应用于HBM4产品。

AI热潮之下，HBM成为存储器市场“新宠”，三大原厂正积极布局。

全球市场研究机构TrendForce集邦咨询表示，两大韩厂SK海力士、三星先从HBM3开发，代表产品为NVIDIA H100/H800以及AMD的MI300系列，两大韩厂预计于2024年第一季送样HBM3e；美系原厂美光则选择跳过HBM3，直接开发HBM3e。

HBM3e将由24Gb mono die堆栈，在8层（8Hi）的基础下，单颗HBM3e容量将一口气提升至24GB，此将导入在2025年NVIDIA推出的GB100上，故三大原厂预计要在2024年第一季推出HBM3e样品，以期在明年下半年进入量产。